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作为一个半导体界的未来之星，不论是瑞士「意法」、德国「英飞凌」或日本「松下」等国际半导体巨擘2018年底，相继开始投入氮化镓GaN的领域。也伴随着众科技大厂如三星、小米开始采用，氮化镓GaN开始获得众人的目光。
氮化镓GaN是氮（N）与镓（Ga）的化合物，用于半导体产业，为第三代半导体材料。其实氮化镓GaN的研究早已超过30年，但在近年才开始成为半导体未来之星的原因是早期受限于制程技术无法大量制造。
根据法国专业科技产业市调机构「Yole Développement」的预估，氮化镓GaN在2017至2023年在电源市场可以有55%的CAGR（年复合成长率），且未来Apple苹果公司若采用氮化镓GaN技术，则会大幅提升至93%，成为市场主流。
氮化镓GaN因目前因成本较传统硅高许多，目前仍无法取代传统、较便宜的硅（Si）元件，但未来的可能性及商机都不可小觑，有人也直接点名看好氮化镓的前瞻性，让许多国际大型上市科技公司都争相跟进氮化镓GaN市场。
氮化镓GaN拥有什么让人趋之若鹜的特别之处呢？下面来谈谈氮化镓GaN的特性与两个实际应用的产业。
氮化镓GaN应用5G领域
氮化镓GaN有着相较于传统硅（Si）元件更高的工作频率，硅元件的切换频率极限约为65~95kHz，再高即会造成原件耗损与不必要的耗能。但氮化镓GaN制作的元件在高频时仍有良好效能且稳定度高，高密度功率的特性可以使周边元件的尺寸跟着缩小，与未来5G基站密度高所需的特性相符。
尽管氮化镓GaN元件仍非市场主流，但因应下一代5G领域讲求更高频更高效，许多通讯厂商都非常青睐也看好氮化镓GaN的未来可塑性。根据Strategy Analytics预测，RF GaN元件（射频氮化镓）的市场规模从2018至2023年的营收约可以成长22%，快速增长来自5G基站布署、基站升级、国防雷达、卫星等先进通讯设备。在未来5G通讯设备中，低于6gHz的频段GaN元件会逐渐成长。
Yole Développement预估2025年时氮化镓GaN可在射频功率元件达到市占50%。
氮化镓GaN应用电源
在电力设备中，氮化镓GaN的高功率性质带动电供系统往高瓦数发展，在传统材质硅发展已至瓶颈的现今，氮化镓GaN高频、高效与低发热等可以解决以往处理不了的问题，在可预见的未来中，氮化镓前景可期。
氮化镓GaN的特性让它在高功率与600~650V以下的高压电电源设备有很大的发展空间，但不代表氮化镓GaN在低瓦数没有市场。体积小、低发热、高瓦数的特性让氮化镓GaN非常适合使用在消费型电子产品的快充充电器上。建立在优良的体验上，尽管氮化镓GaN快充充电器较普通硅元件充电器贵上许多，但依然有不少消费者愿意为了更好的效能买单。
小米、三星等手机与配件厂都相继推出GaN元件的快充充电器。
氮化镓GaN与碳化硅SiC差别？
氮化镓GaN与碳化硅SiC同为第三代半导体材料，碳化硅SiC可以在元件上带来：厚度更薄、低能源耗损、耐超大电流、耐1200V以上的高电压等诸多优质特性都让碳化硅SiC与氮化镓GaN并列讲求效率的新世代半导体材料最佳选择。碳化硅SiC目前普遍用在Tesla（特斯拉）与Porsche（保时捷）等高阶电动车的元件中，与氮化镓GaN皆有应用在消费市场。
氮化镓GaN常见于较低压，碳化硅SiC则普遍用在较高压的部分。
氮化镓GaN应用快充充电器
市场上快速充电器玲琅满目，除了要注意快充技术种类的充电技术，体积是否轻巧、安全度是否充足、功率是否够高都成为消费者选购快充充电器的重点指标。
充电器领导品牌AUKEY推出PA-B4与PA-B3，两款都使用氮化镓GaN功率元件，在发散热方面较传统硅元件充电器有更优良的表现。
体积小好携带加上高瓦数是使用氮化镓GaN元件高功率密度的优势。
PA-B4与PA-B3都有支持到最高65W的输出且支持PD快充，搭配独家Dynamic Detect动态检测技术分配功率来为手机补充电量。在安全上最需要的过压、过流、过温、短路保护机制也都全部到位。非常适合想尝试氮化镓GaN这颗科技业超新星的朋友。
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